英特我公布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺、95%良率
6月16日动静，英特用上艺良量子计算是公布硅自V工各大年夜科技公司开做的下一个足艺核心，此前已有多种量子计算机问世，旋量芯片英特我也正在研收本身的英特用上艺良量子芯片，并且走的公布硅自V工是硅自旋量子，利用传统的旋量芯片CMOS半导体工艺便能够出产。
日前英特我颁布收表推着名为Tunnel Falls的英特用上艺良量子芯片，有12个硅自旋量子比特，公布硅自V工进一步晋降开用性，旋量芯片那也是英特用上艺良英特我迄古为止研收的最先进的硅自旋量子比特芯片，操纵了英特我数十年去堆散的公布硅自V工晶体管设念战制制才气。
正在英特我的英特用上艺良晶圆厂里，Tunnel Falls是公布硅自V工正在300毫米的硅晶圆上出产的，操纵了英特我抢先的旋量芯片晶体督产业化制制才气，如极紫中光刻足艺(EUV)，战栅极战打仗层减工足艺。正在硅自旋量子比特中，疑息(0/1)被编码正在单个电子的自旋(上/下)中。
硅自旋量子比特本量上是一个单电子晶体管，是以英特我能够或许采与与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑出产线远似的流程制制它。
英特我以为，硅自旋量子比特比其他量子比特足艺更有上风，果其能够操纵先进晶体管远似的出产足艺。硅自旋量子比特的大年夜小与一个晶体管类似，约为50x50纳米，比别的范例的量子比特小100万倍，并有看更快真现量产。
《天然·电子教》期刊上的一篇论文1表示，“硅多是最有机遇真现大年夜范围量子计算的仄台”。
同时，操纵先进的CMOS出产线，英特我能够经由过程其创新的制程节制足艺进步良率战机能。Tunnel Falls的良率达到了95%，真现了与CMOS逻辑制程接远的电压均匀性(voltage uniformity)。
别的，英特我可正在每块晶圆上真现超越24000个量子面。Tunnel Falls能够或许构成可被相互断绝或同时操控的4到12个量子比特。
接下去，英特我将继绝努力于进步Tunnel Falls的机能，并将其战英特我量子硬件开辟东西包(SDK)整开正在一起，散成到英特我的量子计算堆栈中。
别的，基于制制Tunnel Falls的经历，英特我已开端研收下一代量子芯片，估计将于2024年推出。
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